特許

J-GLOBAL ID：200903030518221290

シリコンウェハを低温酸化する方法およびその装置

発明者： ヨシ オノ ,  レイ ヒル ,  マーク エイ. ブローザー
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  大塩 竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-057848
公開番号（公開出願番号）：特開2004-015048
出願日： 2003年03月04日
公開日（公表日）： 2004年01月15日
要約：

【課題】シリコンウェハおよび上に形成された酸化物層に不純物が入らない、シリコンを低温酸化する方法を提供する。【解決手段】シリコンウェハを低温酸化する方法は、シリコンウェハを真空チャンバに配置する工程と、シリコンウェハを約室温〜400°Cの範囲の温度に維持する工程と、酸化性ガスを真空チャンバに導入する工程であって、酸化性ガスは、N2Oと、NOと、O2と、O3とからなる酸化ガス群から選択される、工程と、エキシマランプが発する光を酸化性ガスおよびシリコンウェハに照射して、シリコンウェハ上に反応性酸素種を生成し、酸化物層を形成する工程であって、酸化性ガスを光解離させる工程と、シリコンウェハから光電子を放出させ、光電子と酸化性ガスとを反応させる工程とを包含する、工程とを包含する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

シリコンウェハを低温酸化する方法であって、 該シリコンウェハを真空チャンバに配置する工程と、 該シリコンウェハを約室温〜400°Cの範囲の温度に維持する工程と、 酸化性ガスを該真空チャンバに導入する工程であって、該酸化性ガスは、N2Oと、NOと、O2と、O3とからなる酸化ガス群から選択される、工程と、 エキシマランプが発する光を該酸化性ガスおよび該シリコンウェハに照射して、該シリコンウェハ上に反応性酸素種を生成し、酸化物層を形成する工程であって、該酸化性ガスを光解離させる工程と、該シリコンウェハから光電子を放出させ、該光電子と該酸化性ガスとを反応させる工程とを包含する、工程と を包含する、シリコン基板を低温酸化する方法。

IPC (2件)：

H01L21/316 ,  H01L21/31

FI (2件)：

H01L21/316 A ,  H01L21/31 A

Fターム (18件)：

5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AC11 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE17 ,  5F045EK12 ,  5F045EK19 ,  5F045HA16 ,  5F058BC02 ,  5F058BF54 ,  5F058BF61 ,  5F058BF78 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01