特許

J-GLOBAL ID：200903030521939135

真空処理装置及びその方法

発明者： 小美野 光明
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロンエフイー株式会社
代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-043429
公開番号（公開出願番号）：特開平8-124866
出願日： 1995年02月08日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】 排気管内への排気物の付着防止を不要な加熱エネルギーを減らしながら行なうことができ、また排気管途中に設けられたトラップ部分にて、十分に排気物を析出させることができる真空処理装置を提供すること。【構成】 処理室1に排気管51を介して真空ポンプ6を接続し、排気管51の外周囲にn個のテープヒータ71 〜7n を巻装して、各テープヒータ71 〜7nを並列に接続する。この際テープヒータ71 〜7n の抵抗値は排気方向に進むにつれて低くなるように設定する。成膜処理の際、排気管51をテープヒータ7により加熱すると、加熱温度は排気方向へ進むにつれて低くなるが、排気管51内の圧力は排気方向に進むにつれて低くなるので、排気管51内への排気物の付着は防止され、不要な加熱エネルギーが低減される。

請求項（抜粋）：

排気路を介して真空ポンプが接続された気密構造の処理室内に、処理ガスを導入して被処理体を処理する真空処理装置において、前記排気路の少くとも一部に、排気路の内面が排気物の蒸気圧曲線より気体領域内の温度となるように加熱する複数の加熱手段を長さ方向に沿って設け、各加熱手段により排気路の長さ方向の温度勾配を設定したことを特徴とする真空処理装置。

IPC (6件)：

H01L 21/205 ,  B01J 3/00 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/44

FI (2件)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 H