特許

J-GLOBAL ID：200903030523585624

光半導体装置

発明者： 横内 則之 ,  吉田 順自
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-033265
公開番号（公開出願番号）：特開平11-231273
出願日： 1998年02月16日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】 フランツ・ケルディッシュ効果を利用する光半導体装置において、入射光強度が大きく、かつ印加電圧が高い場合であっても、入射光強度と出射光強度の間で良好な線形特性が得られる光半導体装置を提供する。【解決手段】 この光半導体装置は、n型またはp型の第1半導体から成る第1半導体層2と、その第1半導体とは逆導電型の第2半導体から成る第2半導体層4の間に真性半導体の層3が介装されたダブルヘテロ構造Hを有し、真性半導体の層3は光の進行方向に厚みが漸減していく。

請求項（抜粋）：

n型またはp型の第1半導体から成る第1半導体層と、前記第1半導体とは逆導電型の第2半導体から成る第2半導体層との間に真性半導体の層が介装されたダブルヘテロ構造を有し、前記真性半導体の層は光の進行方向に厚みが漸減していくことを特徴とする光半導体装置。