固体撮像装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-046738
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067767
出願日： 1992年03月04日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：

【要約】【目的】スミアがなく、十分な絶縁耐圧を示し、かつ再生画像における白傷の発生を抑制する。【構成】シリコン基板1にp型ウエル2が形成されている。p型ウエル2にはフォトダイオードのn-型領域3、p型領域4、垂直CCD部のn型領域5、p+型領域6、およびp+型領域7が形成され、さらに、p++型領域8がフォトダイオードのn-型領域3上に形成されている。シリコン基板1上には、ゲート酸化膜9、シリコン窒化膜10、およびポリシリコン電極11が形成されている。ポリシリコン電極11の表面にはポリシリコン酸化膜21、シリコン窒化膜22、およびシリコン窒化膜22を熱酸化して形成した上部酸化膜23が形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された光電変換部と垂直シフトレジスタ部とを少なくとも有し、前記垂直シフトレジスタ部の駆動電極である導電性電極とその導電性電極を覆うように形成された少なくとも窒化絶縁膜と、前記窒化絶縁膜上に形成された高融点金属遮光膜とで構成されていることを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/148 , H01L 27/14

FI (2件)：

H01L 27/14 B , H01L 27/14 D

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開昭64-054999
特開昭63-111644
特開昭63-176089

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