特許
J-GLOBAL ID：200903030547366249
パターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-144221
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017703
出願日： 1994年06月27日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：
【要約】【目的】粗と密のパターンの間の寸法差を無くし、粗パターンの焦点深度を拡大し、安定したパターンの形成を行う。【構成】密のパターンが全面に形成された第1のマスク3Aを用いポジ型フォトレジスト膜2Aを露光し露光部5Aと未露光部6Aを形成する。次で粗のパターンを形成する為に、露光された密のパターンの間の不要の未露光部からなるパターンを除去する為の透光領域8Aを有する第2のマスク7Aを用いて第2の露光を行ったのち現像する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成されたポジ型のフォトレジスト膜に粗と密のパターンを形成するパターン形成方法において、遮光部からなる密のパターンが全面に形成された第1のマスクを用いて前記フォトレジスト膜に第1の露光を行う工程と、粗のパターンを形成する為に露光された前記密のパターンの間の不要の未露光部からなるパターンを除去する為の透光領域を有する第2のマスクを用いて第2の露光を行う工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
H01L 21/30 502 C
, H01L 21/30 514 A
