特許
J-GLOBAL ID：200903030547922435
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの構造
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 長七 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-200884
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053511
出願日： 1992年07月28日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：
【要約】【目的】交流使用時に必要な逆並列ダイオードを別チップで供給する必要がない絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの構造を提供するにある。【構成】アノード電極A側のn型基板は逆特性の不純物、つまりp型の不純物をメッシュ状に拡散させ、この拡散によりチップ内に等価的にダイオードDを形成している。
請求項（抜粋）：
基板の裏面に基板と逆特性の不純物をメッシュ状に拡散させてカソードとアノードとの間に逆並列的に接続される等価的なダイオードを形成して成ることを特徴とする絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの構造。
FI (2件)：
H01L 29/78 321 J
, H01L 29/78 321 K
