特許
J-GLOBAL ID：200903030550896321
スパッタリング装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-010634
公開番号（公開出願番号）：特開平11-209873
出願日： 1998年01月22日
公開日（公表日）： 1999年08月03日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウェーハに良質な薄膜を形成するためのスパッタリング装置を提供する。【解決手段】 スパッタリングガスが導入される真空容器24内に、ターゲット26と、ターゲット24に対向して半導体ウェーハ28を載せるホルダ部39と、ターゲット24とウェーハ28の間にプラズマを発生させる帯状コイル32が設けられている。ホルダ部30にインピーダンス整合回路36を介してバイアス用高周波電力を供給する高周波発振器38が設けられている。制御部44は、スパッタリングガスの圧力、ターゲット24への直流電力、帯状コイル32への高周波電力、半導体ウェーハ28のサイズ及びコンタクトホールの開口径に基づいて、インピーダンス整合回路36の内部回路定数とバイアス用高周波発振器38の出力電力をフィードフォワード制御する。
請求項（抜粋）：
少なくとも、第1の電力が供給されるスパッタリングターゲットと、前記スパッタリングターゲットに対向して半導体ウェーハを載せるホルダ部と、第2の電力が供給され前記スパッタリングターゲットと前記半導体ウェーハの間にプラズマを発生させるコイルとが、スパッタリングガスが導入される真空容器内に設けられ、前記ホルダ部にインピーダンス整合回路を介してバイアス用高周波電力を供給するバイアス用高周波発振器を有するスパッタリング装置において、少なくとも、前記スパッタリングガスの圧力、前記第1の電力、前記第2の電力、前記半導体ウェーハのサイズ、前記半導体ウェーハに形成されているコンタクトホールの開口径に基づいて、前記インピーダンス整合回路の内部回路定数とバイアス用高周波発振器の出力電力をフィードフォワード制御する制御部を備えたことを特徴とするスパッタリング装置。
IPC (5件)：
C23C 14/34
, C23C 14/50
, C23C 14/54
, H01L 21/203
, H01L 21/285
C23C 14/34 U
, C23C 14/50 F
, C23C 14/54 C
, H01L 21/203 S
, H01L 21/285 S
