特許

J-GLOBAL ID：200903030551566929

電子ビーム励起プラズマエツチング方法

発明者： 廣田 高敏
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 青木 朗 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-227168
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067589
出願日： 1991年09月06日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：

【要約】【目的】 Siウエーハの電子ビーム励起プラズマエッチング方法に関し、エッチングレートを大きくし、しかもSi表面のダメージが殆んどないエッチング方法を提供することを目的とする。【構成】 エッチングガスとしてCl2 ガスまたはCl2 とSF6 の混合ガスを用いてシリコンを電子ビーム励起プラズマエッチングする方法において、先ず高いイオン電流密度で高速エッチングを行なった後、低いイオン電流密度で低速エッチングを施す電子ビーム励起プラズマエッチング方法として構成する。

請求項（抜粋）：

エッチングガスとしてCl2 ガスまたはCl2 とSF6 の混合ガスを用いてシリコンを電子ビーム励起プラズマエッチングする方法において、先ず高いイオン電流密度で高速エッチングを行なった後、低いイオン電流密度で低速エッチングを施すことを特徴とする電子ビーム励起プラズマエッチング方法。