特許
J-GLOBAL ID：200903030552498536
レーザーアニール処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
有近 紳志郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-258852
公開番号（公開出願番号）：特開平9-102467
出願日： 1995年10月05日
公開日（公表日）： 1997年04月15日
要約：
【要約】【課題】 真空引きする必要がなく,処理のスループットを向上することができるレーザーアニール処理装置を提供する。【解決手段】 窒素ガス供給管13を通じてスイングノズル12に窒素ガスを供給し、スイングノズル12の先端からレーザー照射部分Pへ向けて噴出し、レーザー照射部分P近傍のみを窒素雰囲気とする。【効果】 真空引きしなくても、アニール中に空気中の物質が被処理体Mに作用するのを防止できるので、処理のスループットを向上することができる。
請求項（抜粋）：
被処理体(M)にレーザー光(R)を照射するレーザー照射手段(6)と、小面積のレーザー照射部分(P)で前記被処理体(M)の大面積の領域を走査するように前記被処理体(M)を乗せて移動する移動載置台(2)とを備えたレーザーアニール処理装置において、窒素ガスを噴射して前記レーザー照射部分(P)近傍のみを窒素雰囲気とする窒素ガス噴射手段(12,22)と、前記窒素ガスを加熱する加熱手段(14)と、前記被処理体(M)を前記移動載置台(2)上に載置する時および前記移動載置台(2)上から取り出す時に前記窒素ガス噴射手段(12,22)を前記移動載置台(2)から離すと共に前記レーザー照射部分(P)にレーザー光(R)を照射する時に前記窒素ガス噴射手段(12,22)を前記移動載置台(2)に近づける駆動手段(15,25)とを具備することを特徴とするレーザーアニール処理装置(100)。
IPC (2件)：
H01L 21/268
, H01L 21/324
H01L 21/268 Z
, H01L 21/324 D
