特許

J-GLOBAL ID：200903030555496836

半導体装置

発明者： 古川 芳明 ,  飯沼 芳夫
出願人/特許権者： シチズン時計株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-063628
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264541
出願日： 1995年03月23日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【構成】 半導体チップ上に回路素子と、回路素子と外部回路とを接続するための金属配線と、金属配線上のパッド部または全面にTi、Ni、Cr、Cu、Auからなる単層あるいは多層膜と、回路素子上全面および金属配線上に形成する外部回路と接続するための貫通孔を設けた保護膜と、貫通孔上に外部回路と接続するための無電解メッキによって形成する突起電極を有する。【効果】 本発明の半導体装置の構造を採用することによって、接続ピッチ50ミクロン以下の高密度実装への対応が可能となり、また、工程面においては工程の簡略化の効果と、メッキ液の選択においてpHによる制約を受けない効果がある。

請求項（抜粋）：

半導体チップ(1)上に回路素子と、前記回路素子と外部回路とを接続するための金属配線(2)と、前記金属配線上のパッド部または全面に形成する金属薄膜(3)と、前記回路素子上全面および前記金属配線上に形成する前記外部回路と接続するための貫通孔(5)を設けた保護膜(4)と、前記貫通孔(5)上に前記外部回路と接続するための突起電極(6、7)を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

FI (4件)：

H01L 21/92 602 D ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 603 D ,  H01L 21/92 604 D