特許

J-GLOBAL ID：200903030556909735

シリコン結晶成長方法

発明者： 柿本 浩一 ,  李 京雨 ,  日比谷 孟俊 ,  向井 楠宏
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-064065
公開番号（公開出願番号）：特開平8-259380
出願日： 1995年03月23日
公開日（公表日）： 1996年10月08日
要約：

【要約】【目的】 シリコン結晶育成中に融液中の酸素濃度をその場で測定し、結晶成長条件に負帰還をかけることにより、所望の酸素濃度を含むシリコン結晶を育成する。【構成】 チョクラルスキー法もしくはフローティングゾーン法によるシリコン単結晶の育成において、固体電界質を用いた酸素センサーを用いて融液中の酸素濃度および、その時間的変動を検出し、これによりるつぼ回転数等の結晶成長操作条件に負帰還制御して、酸素濃度の均一なシリコン結晶を育成する。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の育成時に、固体電界質を用いた酸素センサーによりシリコン融液中の酸素濃度および、前記酸素濃度の時間的変動を検出し、前記酸素濃度と前記時間的変動によりるつぼ回転数を制御して、前記結晶中の酸素濃度を均一にすることを特徴とするシリコン結晶成長方法。

IPC (7件)：

C30B 15/22 ,  C30B 13/30 ,  C30B 29/06 502 ,  C30B 29/06 ,  G01N 27/26 361 ,  G01N 27/411 ,  H01L 21/208

FI (7件)：

C30B 15/22 ,  C30B 13/30 ,  C30B 29/06 502 H ,  C30B 29/06 502 J ,  G01N 27/26 361 G ,  H01L 21/208 P ,  G01N 27/58 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 単結晶育成方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-045288   出願人：住友シチックス株式会社, 住友シチックス株式会社