特許
J-GLOBAL ID：200903030568223774
エッチング装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-328471
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166756
出願日： 1991年12月12日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：
【要約】【目的】 エッチング装置において、加工ガスの入れ替えを不要にし、それぞれの加工における最適な加工条件(ステージ温度、圧力、ガス比、冷却ガス、RF周波数、加工時間など)を設定し、それぞれの被加工膜に対する加工特性を向上させ、チャンバ内に搬入してから行う半導体ウエハの温調を不要にし、スループットを向上させる。【構成】 エッチング装置において、エッチングから表面酸化処理までを一貫処理する構造とし、キャップメタル、Al合金膜およびバリアメタルの加工にそれぞれ専用のチャンバ10,12,14,を設け、チャンバ10,12,14の前にプレ温調室9,11,13を設けた構造とした。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハ上に堆積したバリアメタル、導体膜およびキャップメタルの上にレジストパターンを形成した後、前記キャップメタル、導体膜およびバリアメタルをドライエッチングにより加工するエッチング装置であって、前記キャップメタル、Al合金膜およびバリアメタルの加工、レジストアッシング処理、ウエット処理および表面酸化処理をそれぞれ行う専用のチャンバまたはカップを設けたことを特徴とするエッチング装置。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, H01L 21/316
