特許
J-GLOBAL ID：200903030569429600
窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-318275
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176826
出願日： 1993年12月17日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：
【要約】【目的】 p-n接合を有する窒化ガリウム系化合物半導体を用いたレーザ素子を実現可能とする。【構成】 n型GaN層上に導波路として少なくともn型窒化ガリウム系化合物半導体よりなるnクラッド層、n型あるいはp型の窒化ガリウム系化合物半導体よりなる活性層、p型窒化ガリウム系化合物半導体よりなるpクラッド層を順にストライプ形状に形成したレーザ素子で、前記導波路のストライプ幅を50μm以下とする。
請求項（抜粋）：
n型GaN層の表面に導波路として少なくともn型窒化ガリウ系化合物半導体よりなるnクラッド層と、n型あるいはp型の窒化ガリウム系化合物半導体よりなる活性層と、p型窒化ガリウム系化合物半導体よりなるpクラッド層とが順にストライプ形状で積層されて成るダブルヘテロ構造のレーザ素子であり、前記導波路のストライプ幅が50μm以下であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
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