特許

J-GLOBAL ID：200903030572084193

半導体発光素子

発明者： 多田 善紀
出願人/特許権者： サンケン電気株式会社
代理人 (1件)： 高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-300989
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135518
出願日： 1996年10月25日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】 半導体発光素子において化合物半導体がAu電極表面に析出するためにワイヤボンディングの信頼性が低下した。【解決手段】 化合物半導体基板の上にAuから成る第1の層12と、NリッチのTiNから成る第2の層13と、TiリッチのTiNから成る第3の層14と、Auから成る第4の層の電極を設ける。第4の層の上にワイヤをボンディングする。

請求項（抜粋）：

半導体領域上に、Auを含有する第1の層とTiNから成る第2及び第3の層と、Auから成る第4の層が順次積層されて成る電極が形成されており、第2の層のNの含有率は第3の層のNの含有率よりも大きいことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/60 301

FI (3件)：

H01L 33/00 E ,  H01L 21/28 301 G ,  H01L 21/60 301 P