特許

J-GLOBAL ID：200903030574514675

嵌合型接続端子の製造方法

発明者： 塩谷 準 ,  藤井 淳彦 ,  坂 喜文 ,  中村 篤
出願人/特許権者： 株式会社ハーネス総合技術研究所 ,  住友電装株式会社 ,  住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-029700
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233228
出願日： 1998年02月12日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】 安定した接触抵抗を維持したまま端子の挿入力を低下できる嵌合型接続端子の製造方法を提供する。【解決手段】 銅または銅合金の母材3に下地銅めっき層2を形成し、さらにその表面に錫めっき層1を形成する。その後、端子の嵌合部分における摺動面18bとは反対側の面18aにレーザ照射を行うことにより、摺動面18b、28bにおけるレーザのビームスポットに対応する部分が伝熱により加熱され、錫めっき層1と下地銅めっき層2との界面に銅錫合金層4が形成される。このときに錫めっき層を薄く残留させるようなレーザ照射条件とすれば、安定した接触抵抗を維持したまま端子の挿入力を低下することができる。また、端子の嵌合部分における摺動面18bには直接レーザ照射を行わないため、摺動面18bの錫めっき層が溶融変形して接触抵抗が高くなるのを防ぐことができる。

請求項（抜粋）：

雄部品および雌部品の嵌合によって電気的接触を得る嵌合型接続端子の製造方法であって、(a) 前記雄部品または前記雌部品のうち少なくとも一方の銅または銅合金母材の表面に錫めっき層を形成するめっき工程と、(b) 前記錫めっき層が形成された前記銅または銅合金母材のうち前記嵌合における嵌合部分のみにレーザ照射による熱処理を行って、前記嵌合部分における前記錫めっき層のうち前記銅または銅合金母材との界面近傍のみを銅錫合金に合金化するレーザ照射工程と、を備えることを特徴とする嵌合型接続端子の製造方法。