特許
J-GLOBAL ID：200903030581209152
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-306558
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161706
出願日： 1993年12月07日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の耐湿性を向上させ、且つチップサイズの縮小化が可能な半導体装置を提供すること。【構成】 吸湿性の無い複数の絶縁膜2,3,5と、吸湿性の無い絶縁膜2,3,5によって絶縁された金属配線7,8と、吸湿性の無い絶縁膜3,5の間に介在して、金属配線7によって生じる吸湿性の無い絶縁膜3の段差を吸収する吸湿性を有する絶縁膜4とを含む半導体装置において、吸湿性を有する絶縁膜4が、金属配線7によって生じる吸湿性の無い絶縁膜3の凸状部分上で除去され、該凸部状分で吸湿性の無い絶縁膜同士3,5が接触していることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
所定面上に配された金属配線と、前記所定面及び金属配線を覆い、この結果として前記金属配線に対応した凸部と対応しない残部との間に段差をもつ吸湿性の無い第1の非吸湿性絶縁膜と、前記段差を吸収するために前記絶縁膜上に配された吸湿性を有する吸湿性絶縁膜と、前記吸湿性絶縁膜の上に配された吸湿性の無い第2の非吸湿性絶縁膜とを含む半導体装置において、前記凸部の上面は前記吸湿性絶縁膜にて覆われることなく露出しかつ前記第2の非吸湿性絶縁膜に接触していることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/316
, H01L 21/768
