特許
J-GLOBAL ID：200903030585098827
THz電磁波発生制御方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-048318
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251660
出願日： 1998年02月27日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：
【要約】【課題】 高出力、且つ高輝度なTHz電磁波を容易に発生させ、その発生も制御することのできる、新しいTHz電磁波発生制御方法を提供する。【解決手段】 磁性半導体(1)に超短パルスレーザ光(2)を照射するとともに、外場を印加することにより、磁性半導体(1)からTHz電磁波を発生させ、その発生を制御する。
請求項（抜粋）：
磁性半導体に超短パルスレーザ光を照射するとともに、外場を印加することにより、磁性半導体からTHz電磁波を発生させ、その発生を制御することを特徴とするTHz電磁波発生制御方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
前のページに戻る
