特許
J-GLOBAL ID：200903030585589162
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-342696
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196553
出願日： 1992年12月22日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 素子分離構造を有する半導体装置において、フィールドプレート電極のエッジ形状を滑らかにすることにより、後工程における段切れやパターニング不良が発生することがなく、しかも微小な分離間隔になっても十分な分離能力を有する半導体装置を提供する。【構成】 素子分離構造を有する半導体装置において、半導体基板1と、この半導体基板1上に形成される薄い酸化膜2と、この酸化膜2上に形成され、テーパエッジを有するとともに、一定電位に固定されるフィールドプレート電極3を具備する。
請求項（抜粋）：
素子分離構造を有する半導体装置において、(a)半導体基板と、(b)該半導体基板上に形成された薄い絶縁膜と、(c)該絶縁膜上に形成され、テーパエッジを有するとともに、一定電位に固定されるフィールドプレート電極を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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