特許

J-GLOBAL ID：200903030587088225

太陽電池用基板の製造方法および太陽電池

発明者： 高橋 正俊 ,  原 一雄 ,  大塚 寛之 ,  石川 直揮
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社 ,  信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-169105
公開番号（公開出願番号）：特開2006-344765
出願日： 2005年06月09日
公開日（公表日）： 2006年12月21日
要約：

【課題】クリーン度の低い作業下においても、大面積の半導体基板であっても、異方性エッチングを安定かつ均一に短時間で行うことができて、ダメージ層除去後のテクスチャ形成を連続して行う必要もない低コストで高品質な太陽電池用基板の製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも、半導体インゴットをスライスして半導体基板を切り出した後、該基板を表面処理することによって、基板表面にテクスチャ構造を形成する太陽電池用基板の製造方法であって、前記半導体基板の表面処理を、少なくとも、前記半導体基板をエッチングして、前記スライスにより生じた基板表面のダメージ層を除去した後、酸化性水溶液とアルカリ性水溶液との混合液に前記半導体基板を浸漬して基板表面に化学酸化膜を形成し、その後、アルカリ性水溶液に前記半導体基板を浸漬して異方性エッチングをして表面にテクスチャ構造を形成することを特徴とする太陽電池用基板の製造方法。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

少なくとも、半導体インゴットをスライスして半導体基板を切り出した後、該基板を表面処理することによって、基板表面にテクスチャ構造を形成する太陽電池用基板の製造方法であって、前記半導体基板の表面処理を、少なくとも、スライスされた前記半導体基板をエッチングして、前記スライスにより生じた基板表面のダメージ層を除去した後、酸化性水溶液とアルカリ性水溶液との混合液に前記半導体基板を浸漬して基板表面に化学酸化膜を形成し、その後、アルカリ性水溶液に前記半導体基板を浸漬して異方性エッチングをして表面にテクスチャ構造を形成することを特徴とする太陽電池用基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/308

FI (2件)：

H01L31/04 H ,  H01L21/308 B

Fターム (10件)：

5F043AA02 ,  5F043AA10 ,  5F043BB02 ,  5F043BB03 ,  5F043FF03 ,  5F043FF05 ,  5F043GG10 ,  5F051AA02 ,  5F051CB21 ,  5F051GA15

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 太陽電池の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-018830   出願人：三菱電機株式会社
• 凹凸基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-030139   出願人：三洋電機株式会社

審査官引用 (2件)

• 凹凸基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-030139   出願人：三洋電機株式会社
• 太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-186204   出願人：シヤープ株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "Surfactant Selection for a Modified SC-1 Only Clean"