特許
J-GLOBAL ID：200903030591458967
半導体センサの自己診断回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菊谷 公男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-293685
公開番号（公開出願番号）：特開平5-107268
出願日： 1991年10月14日
公開日（公表日）： 1993年04月27日
要約：
【要約】【目的】 複雑な回路を用いず、簡単に得られる値の素子で構成され、占有面積の小さな、集積化が容易な自己診断回路とする。【構成】 半導体センサブリッジ回路1の出力端子P1,P2に一端を接続して設けられた診断抵抗12,14と、診断信号を受けてオンし診断抵抗の他端をそれぞれ接地するトランジスタ13,15を備え、前記診断抵抗12,14はその抵抗値を互いに僅かに異ならせてある。微少電流源方式のような複雑な回路は不要となり、診断抵抗に通常の比較的小さな値の抵抗を用いて十分な診断出力を得ることができる。このため自己診断回路の集積化が容易になる。
請求項（抜粋）：
半導体基体に形成された梁上にピエゾ抵抗を有し、前記梁に生じる歪みを前記ピエゾ抵抗を含むブリッジ回路の出力により検出するようにした半導体センサの自己診断回路であって、前記ブリッジ回路の出力端子毎に設けられた診断抵抗と、診断信号を受けて前記ブリッジ回路の出力端子と接地との間を前記診断抵抗を介してそれぞれ接続するスイッチ手段を備え、前記診断抵抗はその抵抗値を互いに僅かに異ならせてあることを特徴とする半導体センサの自己診断回路。
IPC (4件)：
G01P 21/00
, G01P 15/12
, G01R 17/12
, H01L 29/84
