特許
J-GLOBAL ID：200903030604569615
半導体検査方法および装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-299416
公開番号（公開出願番号）：特開平9-145627
出願日： 1995年11月17日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：
【要約】【課題】 ウェハの欠陥検査の結果を迅速に半導体製造工程内に反映させ、併せて検査時間を含めた検査効率を向上させる。【解決手段】 ウェハ1上に光を照射する照明ランプ2と、ウェハ1を支持するステージ3と、ウェハ1の検査面1aの画像を取り込む検出器4bと、予め登録された正常画像との比較を行う画像処理部4aと、比較後の不一致箇所を欠陥分布として検出しさらにウェハ1の検査面1aを複数個の所定領域に分割しかつ前記欠陥分布に基づいて前記所定領域を欠陥が存在しない良領域と欠陥が存在する不良領域とに分類する制御部7と、ステージ3を移動させる駆動部8と、制御部7からの種々の情報を出力する出力部9とからなり、制御部7によってウェハ1上の前記欠陥が前記良領域の欠陥であるかまたは前記不良領域の欠陥であるかを判別する。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハ上の欠陥を検査する半導体検査方法であって、前記半導体ウェハの検査面の欠陥検査を行うことにより、前記検査面における欠陥を求め、前記半導体ウェハの検査面を複数個の所定領域に分割し、前記欠陥の分布に基づいて前記所定領域を欠陥が存在しない良領域と欠陥が存在する不良領域とに分類し、前記半導体ウェハ上の欠陥が前記良領域の欠陥であるかまたは前記不良領域の欠陥であるかを判別することを特徴とする半導体検査方法。
IPC (3件)：
G01N 21/88
, G01R 31/26
, H01L 21/66
G01N 21/88 E
, G01R 31/26 Z
, H01L 21/66 J
, H01L 21/66 A
