特許

J-GLOBAL ID：200903030605524356

レーザー処理方法

発明者： 張 宏勇
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-105626
公開番号（公開出願番号）：特開平10-275781
出願日： 1992年10月21日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：

【要約】【課題】 パルスレーザーを用いたレーザーアニール等のレーザー処理方法に関して、歩留り、再現性、良好な特性が安定に得られるための方法を提供する。【解決手段】 パルス幅を30nsec以上とすることによって、レーザー処理を安定におこなえる。パルス幅を30nsecとするためには、複数のレーザーを用いて、これを直列あるいは並列に接続し、同期をずらすことによってピークを複数形成する。

請求項（抜粋）：

レーザー装置から発生するレーザーパルスを被照射体に照射する工程を有するレーザー処理方法において、前記レーザーパルスは、少なくとも2つのピークを有していることを特徴とするレーザー処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 21/268 J ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265 602 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平1-145532