特許
J-GLOBAL ID：200903030607197247

有機EL素子及びその製造方法

発明者：
キム チャン ナム

キム チャン ナム について


出願人/特許権者：
エルジー エレクトロニクス インコーポレーテッド

エルジー エレクトロニクス インコーポレーテッド について


代理人 (9件)： 萼 経夫 ,  宮崎 嘉夫 ,  舘石 光雄 ,  小野塚 薫 ,  ▲高▼ 昌宏 ,  中村 壽夫 ,  加藤 勉 ,  村越 祐輔 ,  小宮 知明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-134009
公開番号（公開出願番号）：特開2004-335470
出願日： 2004年04月28日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：
【課題】 発光効率を増大させると共に、電気的な機能を向上させることのできる、有機電界発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】画素領域が形成された基板と、前記薄膜トランジスタと、前記基板上に形成された平坦化絶縁膜17と、該平坦化絶縁膜17上に形成され、凸凹パターンを有する第1電極19と、前記第1電極上に形成された電界発光層22と、前記電界発光層上に形成された第2電極23とを含み、(a)画素領域が形成された基板上に薄膜トランジスタを形成する段階と、(b)凸凹パターンを有する平坦化絶縁膜17を、前記薄膜トランジスタと基板の全面上に形成する段階と、(c)凸凹パターンを有する第1電極19を前記平坦化絶縁膜上に形成する段階と、(d)前記第1電極19上に電界発光層22を形成する段階と、(e)前記電界発光層22上に第2電極23を形成する段階とからなる。【選択図】 図1I
請求項（抜粋）：
薄膜トランジスタを含み、画素領域が形成された基板と、 前記薄膜トランジスタと、前記基板上に形成された平坦化絶縁膜と、 前記平坦化絶縁膜上に形成され、凸凹パターンを有する第1電極と、 前記第1電極上に形成された電界発光層と、 前記電界発光層上に形成された第2電極と、 を含む有機電界発光素子。
IPC (4件)：
H05B33/26 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22
FI (4件)：
H05B33/26 Z ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/22 Z
Fターム (7件)：
3K007AB03 ,  3K007AB05 ,  3K007BA06 ,  3K007CC00 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  3K007FA01
引用特許：
審査官引用 (4件)
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