不揮発性半導体回路

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-140329
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349289
出願日： 1993年06月11日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】【構成】不揮発性半導体メモリセルをマトリックス状に配列したメモリアレイのデータ線とソース線の間に接続された複数個のメモリセルと並列にMOSトランジスタ1,2を形成し、電子の引き抜き動作時には、予め、MOSトランジスタ1,2を介して、ソース線若しくはデータ線を充電する。【効果】電子の引き抜き動作における非選択状態のメモリセルのしきい値電圧変動を防止することができる。

請求項（抜粋）：

電気的に浮遊ゲートへの書込み消去が可能な不揮発性半導体メモリセルをマトリックス状に配置したメモリアレイを備え、データ線とソース線の間に接続された複数個の前記不揮発性半導体メモリセルと、前記不揮発性半導体メモリセルに対して並列に接続されたMOSトランジスタを介して各データ線がソース線に接続されていることを特徴とする不揮発性半導体回路。

引用特許：

審査官引用 (5件)

不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-257598 出願人：三菱電機株式会社
特開平3-156798
特開平3-187263

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