特許
J-GLOBAL ID：200903030610534645
量子細線装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-180834
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029632
出願日： 1991年07月22日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 1次元の量子効果を有した量子細線装置の製造方法を提供する。【構成】 シリコン(100)基板1上に、エッチングマスク21を形成しパターン形成する。シリコン異方性エッチング液を用いて、シリコン基板1をエッチングして、断面が三角状の凸部2を形成する。それからエッチングマスクを除去し、耐酸化マスク層となる窒化シリコン膜22を形成後、少なくとも断面三角状の凸部2の頂が覆われるように、レジスト23をパターン形成する。それからレジスト23をマスクとして、窒化シリコン膜22、さらにシリコン基板1をエッチングする。次に、レジスト23を除去後、シリコン基板1を酸化する。最後に窒化シリコン膜22を除去すれば、シリコン基板1とは絶縁分離された、シリコン細線3が断面三角形状の凸部2頂上に形成される。
請求項（抜粋）：
(100)表面のシリコン基板上に、<110>方向に平行、または垂直方向にエッチングマスクを形成する工程と、前記エッチングマスクを用い、前記シリコン基板を水酸化カリウム水溶液等で異方性エッチングし、前記シリコン基板表面に断面三角形状の凸部を形成する工程と、前記エッチングマスクを除去し、前記シリコン基板上に窒化シリコン膜等の耐酸化マスク層を形成する工程と、少なくとも前記凸部の頂上を覆うレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして、前記耐酸化マスク層、シリコン基板をエッチングする工程と、前記レジストパターンを除去後、前記シリコン基板を酸化させ、少なくとも前記凸部の頂点近傍のシリコンと前記シリコン基板が、酸化シリコン膜により絶縁分離される工程とを備えたことを特徴とする量子細線装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/804
, H01L 21/306
, H01L 29/06
, H01L 21/316
