特許
J-GLOBAL ID：200903030618774009
レーザアニール装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-030377
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226790
出願日： 1992年02月18日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：
【要約】【目的】CWレーザ光によるレーザアニールにおいて、レーザ光のスキャン回数を減らして、アニールの時間を短縮する。【構成】レーザ装置1a,1b,1c,1dから取り出されるCWで紫外域のレーザ光2a,2b,2c,2dが取り出される。レーザ光2a,2bと、レーザ光2c,2dとは、偏光方向が直交し、偏光ビームスプリッタ6により、ビームが重なる様に結合され、シリンドリカルレンズ7を通って、基板10上に集光される。【効果】レーザ光が照射される異なる部分の間の境界における特性の悪化が無く、また、基板全面をアニールする場合でも、レーザ光のスキャン回数を大幅に減らすことができ、アニール時間が短縮できる。
請求項（抜粋）：
波長0.4 ミクロン以下の連続出力を発生する複数台のレーザ装置、前記レーザ装置から取り出される複数本のレーザビームを結合させる偏光ビームスプリッタおよびレーザ光を線状に集光する光学系を含むことを特徴とするレーザアニール装置。
IPC (4件)：
H01S 3/23
, H01L 21/268
, H01L 21/324
, H01S 3/081
