特許
J-GLOBAL ID：200903030620204236
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-235789
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074852
出願日： 1991年09月17日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【構成】基板1上の外周部および内部活性領域にそれぞれ外周バンプ2と内部バンプ3を形成している。バンプ2,3はそれぞれ第1のリード6と第2のリード7に接続され、これらのリード6,7はそれぞれ第1,第2のテープキャリア4,5で固定される。しかも、内部バンプ3と同じ高さのリード支持バンプ8を設け、これにより第1のリード6よりも上方にある第2のリード7を支持する。【効果】第2のリード7の外力によるたわみをなくせるので、電気的短絡の防止を実現するとともに、外力等に対する信頼性を向上させられる。
請求項（抜粋）：
外周部に外周パンプを形成し且つ活性素子によって形成された内部領域に前記外周バンプより高さの高い内部バンプを形成した半導体基板と、前記外周バンプおよび前記内部バンブにそれぞれ接続される第1および第2のリードと、前記第1および第2のリードをそれぞれ固定する第1および第2のテープキャリアと、前記半導体基板上の前記内部バンプと前記外周バンプの間に配置され且つ前記内部バンプと同じ高さに形成されたリード支持バンプとを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 23/50
