特許
J-GLOBAL ID:200903030621920857

ポジ型レジスト組成物

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-300750
公開番号(公開出願番号):特開2004-138663
出願日: 2002年10月15日
公開日(公表日): 2004年05月13日
要約:
【課題】遠紫外光、とくにArFエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ-ション本来の性能向上のための技術における課題を解決するポジ型レジスト組成物を提供することにあり、ブリッジングなどの現像欠陥が少なく、塗布後の経時安定性(PCD)、露光後の経時安定性(PED)が大きいポジ型レジスト組成物、更に加えてプロセスマージンにも優れたポジ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】(A)特定の3種の繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生するフェナシルスルホニウム化合物及び(C)溶剤を含有するポジ型レジスト組成物。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
(A)下記一般式(A1)で表される繰り返し単位、下記一般式(A2)で表される繰り返し単位、及び下記一般式(A3)で表される繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する、一般式(A2I)で表される化合物、及び(C)溶剤を含有するポジ型レジスト組成物。
IPC (4件):
G03F7/039 ,  C08F220/28 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027
FI (4件):
G03F7/039 601 ,  C08F220/28 ,  G03F7/004 503A ,  H01L21/30 502R
Fターム (53件):
2H025AA04 ,  2H025AA11 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB45 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100AL08T ,  4J100BA02Q ,  4J100BA02S ,  4J100BA03R ,  4J100BA03S ,  4J100BA03T ,  4J100BA05S ,  4J100BA05T ,  4J100BA11P ,  4J100BA11Q ,  4J100BA11S ,  4J100BA11T ,  4J100BA15P ,  4J100BA15Q ,  4J100BA15S ,  4J100BA15T ,  4J100BA16S ,  4J100BA16T ,  4J100BA34T ,  4J100BA58T ,  4J100BC02Q ,  4J100BC04Q ,  4J100BC07Q ,  4J100BC08Q ,  4J100BC08R ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC09T ,  4J100BC12Q ,  4J100BC12R ,  4J100BC53P ,  4J100BC53T ,  4J100CA03 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100FA08 ,  4J100JA38

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