特許

J-GLOBAL ID：200903030623249664

半導体装置の製造方法

発明者： 吉沢 俊一
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-289167
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116903
出願日： 1996年10月11日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：

【要約】【課題】 配線の寄生容量を低減し、なおかつ配線上に保護膜を形成できる配線の形成方法を提供できるようにする。【解決手段】 層間絶縁膜11上に金属配線1を形成した後、前記金属配線1と金属配線1との間を塗布ガラス2により充填し、次に、絶縁膜3にて被覆し、続いて基板をフッ酸系エッチング液HFに浸漬し、前記塗布ガラス2上に絶縁膜3を被覆する時に、前記塗布ガラス2からの脱ガスにより前記絶縁膜3中に形成されたピンホール4からフッ酸系エッチング液HFを浸入させ、前記塗布ガラス2と前記絶縁膜3とのエッチレートの差を利用して前記金属配線1間に充填した前記塗布ガラス2を選択的に除去する。

請求項（抜粋）：

フッ酸系エッチング液を用いたエッチングではエッチングされない複数の配線を半導体基板上に形成する第一の工程と、前記複数の配線間に塗布ガラスを充填する第二の工程と、前記第二の工程後、前記半導体基板上に形成する絶縁膜であって、前記塗布ガラスよりも前記フッ酸系エッチング液に対するエッチング速度が遅い絶縁膜を形成する第三の工程と、前記第三の工程後、前記フッ酸系エッチング液を用いたエッチングにより、前記塗布ガラスを前記複数の配線間から除去する第四の工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/90 N ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/88 B