特許

J-GLOBAL ID：200903030627796244

多層圧電素子

発明者： 西島 英孝
出願人/特許権者： 株式会社住友金属エレクトロデバイス
代理人 (1件)： 加古 宗男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-286118
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114611
出願日： 1998年10月08日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】 積層数の多い多層圧電素子において、積層時の加圧力のばらつきによる層間のデラミネーションや焼成後の層間クラックを防止する。【解決手段】 各層の圧電セラミック層21を、ニッケル・ニオブ酸-チタン酸-ジルコン酸鉛系の圧電セラミック材料により形成し、その積層数を100〜300層とする。各層の圧電セラミック層21の表面に印刷・焼成した電極層22は、層厚が従来より薄い2〜5μmであり、積層数が多くなっても、電極層22による積層厚みの差があまり大きくならない。電極層22の印刷に用いる導体ペーストはAg/Pd合金粒子を主成分とし、その導体粒子の平均粒径が1〜2.5μmである。これにより、2〜5μmの薄い電極層を均一に安定して形成できると共に、導体粒子間に圧電セラミック層のガラス成分が浸透するのに必要な隙間も確保でき、十分なアンカー効果(接着強度)を得ることができる。

請求項（抜粋）：

圧電セラミック層と電極層とを交互に多数積層してなる多層圧電素子において、前記電極層は、平均粒径が1〜2.5μmの導体粒子を主成分とする導体ペーストを印刷・焼成して層厚が2〜5μmに形成されていることを特徴とする多層圧電素子。

IPC (2件)：

H01L 41/083 ,  H02N 2/00

FI (2件)：

H01L 41/08 Q ,  H02N 2/00 C

Fターム (9件)：

5H680AA00 ,  5H680DD23 ,  5H680DD39 ,  5H680DD95 ,  5H680FF08 ,  5H680GG01 ,  5H680GG02 ,  5H680GG41 ,  5H680GG42