特許

J-GLOBAL ID：200903030629819020

電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者： 丸橋 建一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-330552
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193224
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】【目的】しきい電圧値が均一の2次元電子ガス電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する。【構成】半絶縁性GaAs基板1上に、アンドープGaAsバッファ層2、アンドープIn0.2 Ga0.8 Asチャネル層3、n型に不純物ドープされたAl0.2Ga0.8 As電子供給層4、アンドープIn0.5 Al0.5 Asエッチング停止層5、n型に不純物ドープされたGaAsキャップ層を結晶成長する。GaAsキャップ層6上にソース電極7、ドレイン電極8を蒸着及び熱処理アロイ工程により形成する。ここでコハク酸または酒石酸を含むエッチング液により、アンドープIn0.5 Al0.5 Asエッチング停止層5上のGaAsキャップ層6を選択的にエッチング除去し、リセス9を形成し、リセス内部にゲート電極10を形成するリセス深さを均一よく制御できるので、しきい電圧値を均一にできる。

請求項（抜粋）：

半絶縁性GaAs基板上に、電子親和力の大きい第1の半導体層と、該第1の半導体層に比べて電子親和力が小さい第2の半導体層がこの順に積層された電界効果トランジスタに於いて、前記第2の半導体層上にInAlAs層と、n型に不純物ドープされたGaAs層とがこの順に積層されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/308

FI (3件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 21/306 U ,  H01L 29/80 F