特許

J-GLOBAL ID：200903030633959597

強誘電体結晶の評価方法および評価装置

発明者： 高橋 文之 ,  塚原 博之 ,  布施 貴史
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-340177
公開番号（公開出願番号）：特開2004-177133
出願日： 2002年11月22日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：

【課題】近接場ラマン分光法により、強誘電体結晶の結晶粒程度またはそれよりも小さい領域の配向角を評価すること。【解決手段】強誘電体結晶の結晶粒程度またはそれよりも小さい微小領域に近接場光を照射し、その照射領域からのラマン散乱光を受光し、分光してその受光強度を検出するにあたって、まず、ラマン散乱光の偏光方向を、近接場光の偏光方向に対して垂直な方向とし(第1の状態)、つづいて、同じ照射領域に対して、近接場光の偏光方向を所定角φ’だけ回転させた方向にするとともに、ラマン散乱光の偏光方向を、近接場光の偏光方向の回転と同じ方向にφ’+90°だけ回転させた方向とする(第2の状態)。そして、第1の状態におけるラマン散乱光の受光強度と、第2の状態におけるラマン散乱光の受光強度との差分に基づいて、評価値を演算して求め、結晶の配向状態を評価する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

強誘電体結晶の結晶粒程度または前記結晶粒よりも小さい微小領域に、第1の偏光方向の近接場光を照射し、前記第1の偏光方向の近接場光が照射された照射領域からの第2の偏光方向のラマン散乱光を受光し、分光して前記ラマン散乱光の受光強度を検出する工程と、 前記照射領域に、第3の偏光方向の近接場光を照射し、前記第3の偏光方向の近接場光が照射された照射領域からの第4の偏光方向のラマン散乱光を受光し、分光して前記第4の偏光方向のラマン散乱光の受光強度を検出する工程と、 前記第2の偏光方向のラマン散乱光の受光強度および前記第4の偏光方向のラマン散乱光の受光強度に基づいて、評価値を演算して求める工程と、 前記評価値に基づいて、前記照射領域を含む結晶の配向状態を評価する工程と、 を含むことを特徴とする強誘電体結晶の評価方法。

IPC (3件)：

G01N21/65 ,  H01L21/66 ,  H01L27/105

FI (3件)：

G01N21/65 ,  H01L21/66 L ,  H01L27/10 444C

Fターム (26件)：

2G043AA03 ,  2G043BA01 ,  2G043BA09 ,  2G043CA05 ,  2G043EA03 ,  2G043FA02 ,  2G043FA05 ,  2G043HA02 ,  2G043HA07 ,  2G043HA09 ,  2G043JA01 ,  2G043JA02 ,  2G043KA09 ,  2G043LA03 ,  2G043NA01 ,  4M106AA01 ,  4M106AA07 ,  4M106AA20 ,  4M106AB08 ,  4M106BA06 ,  4M106CB17 ,  4M106DH12 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ20 ,  5F083FR01 ,  5F083ZA20