特許
J-GLOBAL ID：200903030637631707
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-201207
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053206
出願日： 1992年07月28日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：
【要約】【目的】常に精度良く、極めて微細なオペレーショナル・ギャップを容易に実現することの出来る半導体装置(例えば静電型アクチュエータ)の製造方法を提供する。【構成】微小なオペレーショナル・ギャップを隔てて固定電極と可動電極とを有する静電型アクチュエータを製造する方法において、第1の電極(例えば固定電極)を形成し、該第1の電極の側壁に酸化膜を形成し、該酸化膜に接して第2の電極(例えば可動電極)の部材を形成した後、上記酸化膜を犠牲エッチングしてオペレーショナル・ギャップを形成する製造方法。
請求項（抜粋）：
微小ギャップを隔てた2つ以上の電極を有する半導体装置を製造する方法において、第1の電極を形成する工程と、上記第1の電極の側壁に膜を形成する工程と、上記第1の電極の側壁の膜に接して第2の電極の部材を形成する工程と、上記第1の電極と第2の電極間の膜を犠牲層エッチングして除去し、ギャップを形成する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306
, H01L 21/302
