特許

J-GLOBAL ID：200903030643449589

半導体式アンモニアガスセンサ

発明者： 三橋 弘和
出願人/特許権者： 新コスモス電機株式会社
代理人 (1件)： 北村 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-208375
公開番号（公開出願番号）：特開平5-045319
出願日： 1991年08月21日
公開日（公表日）： 1993年02月23日
要約：

【要約】【目的】 アンモニアガスに対して感度が高いとともに、他のガスとの選択性に於いて優れたアンモニアガスセンサを得ること。【構成】 原子価制御された酸化スズ半導体に、バナジウム、ランタン、鉛の夫々の酸化物を添加物として添加した金属酸化物半導体部3を設けたものとする。

請求項（抜粋）：

原子価制御された酸化スズ半導体に、バナジウム、ランタン、鉛の夫々の酸化物を添加物として添加した金属酸化物半導体部(3)を設けた半導体式アンモニアガスセンサ。