特許
J-GLOBAL ID：200903030648412748
半導体発光ダイオードおよび半導体発光ダイオード用エピタキシャルウェハ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川澄 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-112188
公開番号（公開出願番号）：特開2002-314127
出願日： 2001年04月11日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：
【要約】【課題】光の吸収を最小限に抑えつつ、エピタキシャル層とITO膜から成るpn接合に低抵抗で電気を流す新しい構造の半導体発光ダイオードおよび半導体発光ダイオード用エピタキシャルウェハを提供すること。【解決手段】n型GaAs基板1上に、n型下部クラッド層3と、化合物半導体からなる活性層4と、p型化合物半導体からなる上部クラッド層5を有し、その上に金属酸化物系透明導電性膜9を有する半導体発光ダイオード用エピタキシャルウェハ又は発光ダイオードにおいて、金属酸化物系透明導電性膜9と上部クラッド層5の間に設けた半導体層6、8からなるpn接合のpn界面に、又は、金属酸化物系透明導電性膜9と上部クラッド層5の間に設けた下地の半導体層6と透明導電性膜9との間のpn界面に、多数の欠陥を有する半導体層(欠陥層7)を挿入する。
請求項（抜粋）：
n型GaAs基板上に、少なくとも化合物半導体からなるn型下部クラッド層と、該下部クラッド層よりバンドギャップエネルギーが小さい組成の化合物半導体からなる活性層と、該活性層よりバンドギャップエネルギーが大きい組成のp型化合物半導体からなる上部クラッド層を有し、その上に金属酸化物系透明導電性膜を有する半導体発光ダイオード用エピタキシャルウェハにおいて、透明導電性膜とp型半導体からなる上部クラッド層の間に、半導体層からなるpn接合を有し、そのpn接合のpn界面に、下地の半導体層との格子不整合率の絶対値が0.3%以上である半導体層を挿入していることを特徴とする半導体発光ダイオード用エピタキシャルウェハ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 B
, H01L 21/205
5F041AA22
, 5F041CA34
, 5F041CA58
, 5F041CA65
, 5F041CA88
, 5F041FF11
, 5F045AA04
, 5F045AB10
, 5F045AB18
, 5F045AD10
, 5F045AE23
, 5F045AF04
, 5F045BB16
, 5F045DA67
