特許

J-GLOBAL ID：200903030656393051

赤外線受光装置およびその製造方法

発明者： 岡村 正通
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-233855
公開番号（公開出願番号）：特開平9-083010
出願日： 1995年09月12日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】 波長選択機能を有した受光部とその駆動部とを近接させ、かつこれら複数をアレイ状に配置できるようにすることを目的とする。【解決手段】 n+-InP基板201側から赤外光を入射すると、n-InxGa1-xAs層202(x=0.53)に赤外光が到達するまでに、短い波長の光が吸収されるため、p+ 領域209bからなるフォトダイオード210bでは、波長1μmから1.65μmに感度を有することになる。また、p+ 領域209aからなるフォトダイオード210aでは、n-InxGa1-xAs層202(x=0.53)で波長1.65μm以下の光を吸収してしまうため、波長1.65μmから2.07μmに感度を有することになる。

請求項（抜粋）：

化合物半導体からなる基板上に形成された、第1導電形の第1の化合物半導体層とこの第1の化合物半導体層の所定領域に形成された第2導電形の化合物半導体領域とから構成された第1のフォトダイオードと、前記第1の化合物半導体層上に、格子不整合を緩和するためのバッファ層を介して形成された前記第1の化合物半導体とはバンドギャップエネルギーの異なる第2の化合物半導体層と、この第2の化合物半導体層の所定領域に形成された第2導電形の化合物半導体領域とから構成された第2のフォトダイオードと、前記基板上に絶縁膜を介して形成された非晶質または多結晶のシリコンから構成され、前記第1のフォトダイオードを駆動するための第1の薄膜トランジスタと、前記第2のフォトダイオードを駆動するための第2の薄膜トランジスタとを有することを特徴とする赤外線受光装置。

IPC (3件)：

H01L 31/10 ,  H01L 27/14 ,  H01L 27/146

FI (4件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 27/14 K ,  H01L 27/14 F ,  H01L 31/10 G