特許

J-GLOBAL ID：200903030659692033

ガンダイオード

発明者： 北村 昌良 ,  出口 忠義
出願人/特許権者： 新日本無線株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-344490
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163440
出願日： 1997年11月29日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】 デッドゾーンが形成されず、発振効率の高いガンダイオードを提供する。【解決手段】 活性層に接続するカソード電極を、ショットキー接触性金属をシリコン薄膜上に積層した構造とし、そのショットキー障壁の高さが、0.4eVを越えない範囲とする。特に、活性層がGaAsで構成されている場合、シリコン薄膜に砒素あるいはアンチモン等のV族元素が不純物として添加されている場合、好適なカソード電極を構成することができる。

請求項（抜粋）：

活性層と、該活性層に接続するカソード電極およびアノード電極とを備えたガンダイオードにおいて、前記カソード電極は、前記活性層とショットキー接触する金属膜をシリコン薄膜上に積層した構造としたことと、該シリコン薄膜及び金属膜からなるカソード電極は、前記活性層にショットキー障壁の高さが0.4eVを越えない範囲で接触することを特徴とするガンダイオード。