半導体発光素子

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-041613
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243609
出願日： 1992年02月27日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【構成】半導体基板1上に、導電型の異なる少なくとも二層の半導体層3、4から成る島状部Iを設け、この島状部IにV字溝Gを形成し、このV字溝Gが光の取り出し部となるようにV字溝G以外の部分を電極7で被覆した。【効果】島状部Iの半導体接合部の全体に亘って電流が流れ、発光強度が向上する。また、V字溝Gの長さを短くすると共に、V字溝Gの両側の島状部Iを大面積化することによって半導体接合部を大面積化することができ、発光強度を強めつつ高精細化することもできる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、導電型の異なる少なくとも二層の半導体層から成る島状部を設け、この島状部にV字溝を形成し、このV字溝が光の取り出し部となるようにV字溝以外の島状部を電極で被覆して成る半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭51-139786
特開昭63-228790

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