絶縁性薄膜

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：武井英夫 , 清水猛 , 伊藤穣 , 鳴井義夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-173542
公開番号（公開出願番号）：特開2004-018608
出願日： 2002年06月14日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

【課題】多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、安定で、半導体素子の銅配線工程におけるCMP工程に十分耐える機械的強度を有する多孔性シリカ薄膜を提供する。【解決手段】アルコキシシランに由来する珪素原子を特定の割合で含有するシリカ前駆体と、ポリエーテルブロックコポリマーを含む特定の有機ポリマーと、特定量の有機溶媒を含有することを特徴とする絶縁薄膜製造用の塗布組成物。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(1)及び/又は一般式(2)で表される1〜6官能性のアルコキシシランおよびその加水分解物、重縮合物から選ばれる少なくとも1種以上の化合物を含有するシリカ前駆体であって、アルコキシシランおよびその加水分解物、重縮合物に由来する珪素原子の合計に対する1〜3官能性のアルコキシシランおよびその加水分解物、重縮合物に由来する珪素原子の合計の割合が5mol%〜80mol%であるシリカ前駆体と、 R1 n (Si)(OR2 )4-n (1) (式中、R1 、R2 は同一でも異なっていてもよく、それぞれ水素または1価の有機基を表し、nは0〜3の整数である) R3 m (R4 O)3-m Si-(R7 )p -Si(OR5 )3-q R6 q (2) (R3 ,R4 ,R5 およびR6 は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ水素または1価の有機基を示し、mおよびqは、同一でも異なっていてもよく、0〜2の数を示し、R7 は酸素原子または(CH2 )r で表される基を示し、rは1〜6を、pは0または1を示す。) (B)一般式;(R8 O)x -(R10O)y -(R9 O)z (式中、R8 ,R9 およびR10は、炭素数1〜10のアルキレン基を示し、xは2〜200、yは2〜100、zは0〜200の整数を示す) で表され、かつ3元ブロックコポリマーであるポリ(エチレンオキサイド)-ポリ(プロピレンオキサイド)-ポリ(エチレンオキサイド)を除く2元または3元の脂肪族エーテルブロックコポリマーが全有機ポリマーに対して10重量%以上含まれる有機ポリマーと、 (C)アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒およびエステル系溶媒の群から選ばれた少なくとも1種の有機溶媒と、を含有することを特徴とする絶縁性薄膜製造用塗布組成物。

IPC (7件)：

C09D183/04 , C09D1/00 , C09D5/25 , C09D171/02 , C09D183/02 , H01L21/316 , H01L21/768

FI (8件)：

C09D183/04 , C09D1/00 , C09D5/25 , C09D171/02 , C09D183/02 , H01L21/316 G , H01L21/90 N , H01L21/90 Q

Fターム (28件)：

4J038AA011 , 4J038DF012 , 4J038DL021 , 4J038DL031 , 4J038HA441 , 4J038KA04 , 4J038KA06 , 4J038NA11 , 4J038NA17 , 4J038NA21 , 4J038PA19 , 4J038PB09 , 5F033HH11 , 5F033QQ48 , 5F033QQ74 , 5F033RR04 , 5F033RR09 , 5F033RR29 , 5F033SS02 , 5F033SS04 , 5F033SS22 , 5F033WW04 , 5F033XX24 , 5F058BA20 , 5F058BC05 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BJ02

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