特許

J-GLOBAL ID：200903030667672670

半導体太陽電池の製造方法及びその半導体太陽電池

発明者： 遠山 上 ,  中川 克己 ,  山下 敏裕
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-344957
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196734
出願日： 1992年12月24日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、太陽光を有効に利用でき高い変換効率が得られ、しかも半導体層と金属層の直接の接触や欠陥箇所でのリーク電流が防止でき、信頼性が高く、さらには、安価である等とした薄膜半導体太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 基板101上に、表面が光に対して高い反射率を有する金属層102、凹凸状の透明層103、半導体層104、透明な電極層108をその順序で形成する半導体太陽電池の製造方法において、前記透明層103を形成する際に、酸化亜鉛層を堆積した後に、該酸化亜鉛層の表面が少なくとも2価カルボン酸を含む溶液に浸される工程を含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に、表面が光に対して高い反射率を有する金属層、凹凸状の透明層、半導体層、透明な電極層をその順序で形成する半導体太陽電池の製造方法において、前記透明層を形成する際に、酸化亜鉛層を堆積した後に、該酸化亜鉛層の表面が少なくとも2価カルボン酸を含む溶液に浸される工程を含むことを特徴とする半導体太陽電池の製造方法。