特許
J-GLOBAL ID：200903030672762121
受動素子内蔵半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-204560
公開番号（公開出願番号）：特開2004-047811
出願日： 2002年07月12日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：
【課題】本発明は半導体素子に近接した位置に受動素子が配置され、狭いピッチのインナリードを有し且つ薄型化された受動素子内蔵半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】リードフレーム2のステージ4に半導体素子1を搭載する。半導体素子1の表面に絶縁テープ7を貼り付け、その上に受動素子8,9を搭載する。半導体素子1とインナリードの間、及び受動素子の電極とインナリードの間を金属ワイヤ5により電気的に接続する。リードフレーム2、半導体素子1、受動素子8,9及び金属ワイヤ5を封止樹脂により封止する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
インナリードとステージとを有するリードフレームと、
該リードフレームのステージに搭載された半導体素子と、
該半導体素子の表面に設けられた絶縁部材と、
該絶縁部材の上に搭載された受動素子と、
前記半導体素子と前記インナリードの間、及び前記受動素子の電極と前記インナリードの間を電気的に接続する金属ワイヤと、
前記リードフレームと前記半導体素子と前記受動素子と前記金属ワイヤとを封止する封止樹脂と
を有することを特徴とする受動素子内蔵半導体装置。
IPC (2件)：
FI (5件)：
H01L23/50 K
, H01L23/50 Q
, H01L23/50 U
, H01L23/50 X
, H01L25/00 B
5F067AA01
, 5F067AB03
, 5F067BB01
, 5F067BD05
, 5F067BD10
, 5F067BE01
, 5F067CD03
