特許
J-GLOBAL ID：200903030677955505
広帯域電圧制御発振器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
奥山 尚男 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-059754
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226934
出願日： 1992年02月14日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：
【要約】【目的】 発振周波数が広帯域にわたり、その出力電力が制御可能であるとともに、モノリシックマイクロ波集積回路化を可能にする。【構成】 一個のFET14と、該FETのゲート端子及びソース端子に、それぞれ接続されるインダクタ17,18とバラクタ15,16とで形成される回路とからなる発振部11と、該発振部の前記FETの出力側に接続される低インピーダンス回路30と一個のデュアルゲートFET31を有する増幅回路32とからなる整合回路12とから構成され、前記バラクタへの逆印加電圧を変えて、広帯域にわたり発振周波数を変化させるとともに、前記デュアルゲートFETの第2ゲートへの利得制御電圧を変えて出力電力を制御する。
請求項（抜粋）：
一個の電界効果トランジスタ(以下、単にFETという)と、該FETのゲート端子及びソース端子に、それぞれ接続ささるインダクタとバラクタとで形成される回路とからなり、該バラクタにその静電容量を変えるための逆印加電圧が加えられるようにされた発振部と、該発振部の前記FETの出力側に接続される、抵抗器とインダクタとで形成される低インピーダンス回路と、一個のデュアルゲートFETを有する増幅回路とからなり、該デュアルゲートFETの第2ゲートに利得制御電圧が加えられるようにされた整合回路とから構成され、前記バラクタへの逆印加電圧を変えて、広帯域にわたり発振周波数を変化させるとともに、前記デュアルゲートFETの第2ゲートへの利得制御電圧を変えて、出力電力を制御することを特徴とする広帯域電圧制御発振器。
IPC (3件)：
H03B 5/12
, H03G 11/00
, H03L 5/02
