特許

J-GLOBAL ID：200903030681599535

シリンダー型キャパシタ形成方法

発明者： 腰高 利明 ,  福島 忠久
出願人/特許権者： 日本電気株式会社 ,  広島日本電気株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-045128
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243913
出願日： 1999年02月23日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】 キャパシタ下部電極を精度良く形成できるようにし、かつ工程が簡略なシリンダー型キャパシタの製造方法を提供することである。【解決手段】 シリンダー型キャパシタの下部電極の形成方法において、Poly-Siを成長後、前記下部電極となるホール内部にフォトレジストをエッチングバックの保護材として残す際に、フォトレジスト塗布前にフォトレジストと反応して溶解性が低減する薬液でウェハを処理し、前記ホール内部とウェハ表面の薬液濃度の差を利用してフォトレジストをホール内部にだけ残すことを特徴とするシリンダー型キャパシタ形成方法。

請求項（抜粋）：

シリンダー型キャパシタの下部電極の形成方法において、Poly-Siを成長後、前記下部電極となるホール内部にフォトレジストをエッチングバックの保護材として残す際に、フォトレジスト塗布前にフォトレジストと反応して溶解性が低減する薬液でウェハを処理し、前記ホール内部とウェハ表面の薬液濃度の差を利用してフォトレジストをホール内部にだけ残すことを特徴とするシリンダー型キャパシタ形成方法。

IPC (5件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/027 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 21/30 563 ,  H01L 27/10 621 C

Fターム (15件)：

5F038AC05 ,  5F038AC10 ,  5F038EZ03 ,  5F038EZ11 ,  5F038EZ15 ,  5F046AA20 ,  5F046HA01 ,  5F046JA04 ,  5F046JA22 ,  5F046LA18 ,  5F083AD24 ,  5F083GA27 ,  5F083GA30 ,  5F083PR07 ,  5F083PR39