特許
J-GLOBAL ID：200903030682886201
化合物半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-127793
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050728
出願日： 1997年05月02日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：
【要約】【課題】 1つの基板上に互いに異なるしきい値電圧を有する化合物半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】 ゲート電極用のリセスをエッチングするとき、オーミックコンタクトメタルの表面及びキャップ層の表面の一部に露出させた表面を形成させた状態でエッチングを行う。その露出させた表面積を素子毎に変化させる。
請求項（抜粋）：
基板上に活性層を形成するステップと、前記活性層上の所定領域に複数個のオーミック電極を形成するステップと、前記オーミックメタルコンタクトを含む活性層の全面にマスク物質を形成するステップと、前記マスク物質の所定領域を除去して、オーミックメタルコンタクト間の活性層のゲートを形成させる部分の表面と、少なくともいずれか1つのオーミックメタルコンタクトの表面を露出させるステップと、前記表面が露出された活性層を所定の深さにエッチングするステップと、前記マスク物質を除去し、所定の深さに除去された活性層上にゲート電極を形成するステップと、を備えることを特徴とする化合物半導体素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
