半導体レーザの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-243858
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097569
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】埋込み型メサストライプの形成方法に関し,異方性イオンエッチングで形成したメサをMOCVD法で平坦に埋込むことを目的とする。【構成】半導体基板1上にストライプ状メサ10を形成するメサエッチング工程と,メサ10上のマスク6を利用してその両側を選択的に埋込む埋込み層11を基板1上に堆積する工程とを有する半導体レーザの製造方法において,埋込み層11の堆積に先立って予めメサ10の両側の該基板1上に該メサ10に沿う溝9を形成することを特徴として構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板(1)上にストライプ状メサ(10)を形成するメサエッチング工程と,該メサ(10)上のマスク(6)を利用してその両側を選択的に埋込む埋込み層(11)を該基板(1)上に堆積する工程とを有する半導体レーザの製造方法において,該埋込み層(11)の堆積に先立って予め該メサ(10)の両側の該基板(1)上に該メサ(10)に沿う溝(9)を形成することを特徴とする半導体レーザの製造方法。

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