特許

J-GLOBAL ID：200903030694003402

半導体装置

発明者： 見崎 光一郎
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-031164
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151424
出願日： 1992年02月19日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】過大電流によるプラスチックパッケージの破壊を防止する。【構成】下層の電極パッド3上の層間絶縁膜5に設けた第1の開孔部6の口径よりも電極引出配線4上の層間絶縁膜5に設けた第2の開孔部7の口径を小さくすることにより、パッド電極8からの過電流を第2の開孔部7内の内部配線9の断線でしゃ断し、発熱よるプラスチックパッケージの破壊を防止する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けた下層の電極パッド及び前記下層の電極パッドに接続して設けた電極引出配線と、前記下層の電極パッド及び電極引出配線を含む表面に設けた層間絶縁膜と、前記下層の電極パッド上の層間絶縁膜に設けた第1の開孔部を介して前記下層の電極パッドに接続し前記層間絶縁膜上に設けた上層の電極パッドと、前記電極引出配線上の層間絶縁膜に設けた第2の開孔部を介して前記電極引出配線に接続した内部配線とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 21/90 ,  H01L 29/46

FI (2件)：

H01L 21/88 F ,  H01L 21/88 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-311751
  
• 特開昭56-089706
  
• 特開昭61-080836
  
• 特開昭61-167284