特許

J-GLOBAL ID：200903030702588849

半導体基板の製造方法

発明者： 矢野 孝幸 ,  濱口 功 ,  藤田 哲男 ,  梶山 健二
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-080828
公開番号（公開出願番号）：特開平6-296003
出願日： 1993年04月07日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：

【要約】【目的】 内部に酸化シリコン膜2を埋め込んだ半導体基板1(SOI基板)において、表面シリコン層3に混入した不純物を低減するための半導体基板の製造方法である。【構成】 SOI基板において、1250°C以上の高温熱処理する工程、あるいは、酸化性雰囲気で高温熱処理して表面付近を除去・洗浄する行程、あるいは、裏面に混入不純物を固着する(ゲッタリング)領域をあらかじめ形成する行程、あるいは、混入不純物を固着した領域と共に除去する行程により、その前のSOI形成行程での混入不純物を低減し、半導体装置を製作するに適した清浄な表面シリコン層を得る。

請求項（抜粋）：

シリコン基板内部に酸化シリコン膜を埋め込んだ表面シリコン層を有する半導体基板の製造において、前記シリコン基板内部に酸化シリコン膜を埋め込んだ後、前記シリコン基板を1250°C以上の温度で高温熱処理することにより、前記表面シリコン層に混入した混入不純物を前記酸化シリコン膜を通過させて前記シリコン基板中あるいは前記酸化シリコン膜中へ移動させることを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/322

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-068105   出願人：株式会社日本自動車部品総合研究所