特許

J-GLOBAL ID：200903030702790010

半導体基板の熱処理方法

発明者： 山本 博士 ,  塚本 弘範
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-223115
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077155
出願日： 1992年08月24日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板の浅い不純物拡散領域の接合境界付近の欠陥を除去し、しかも接合の拡がりを抑えることができる熱処理方法を提供する。【構成】 シリコン基板11にLDD領域19及びソース領域21A,ドレイン領域21Bを形成した後、ルビーレーザを600mJ/cm2で照射した後、XeClレーザを700mJ/cm2で照射することにより、イオン打込みで生じた点欠陥を修復すると共にイオンの活性化を行なう。

請求項（抜粋）：

半導体基板にイオン打込み深さの浅いイオン打込み層を形成した後、前記半導体基板表面に2種類の波長の異なるパルスレーザを照射することを特徴とする半導体基板の熱処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 21/265 B ,  H01L 29/78 301 P