特許
J-GLOBAL ID：200903030703392018
固体撮像装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-019350
公開番号（公開出願番号）：特開平7-231079
出願日： 1994年02月16日
公開日（公表日）： 1995年08月29日
要約：
【要約】【目的】埋め込みチャネルCCDで構成された電荷転送撮像装置において、垂直CCDの最大転送電荷量の確保と水平CCDの転送効率の向上を同時に実現するインターライン型CCD撮像装置を得る。さらに垂直CCDから水平CCDへの転送において、信号電荷の転送不良を防ぐ。【構成】垂直CCDと水平CCDとに異なるウエル層が形成されており、水平CCDに形成される第1のウエル層のエッジが、垂直CCD最終電極と水平CCD電極の間にあるトランスファー電極の上端にあり、垂直CCD最終電極下で水平CCDとは反対側の表面領域にはバリア層が形成される。また、垂直CCD最終電極の一つ手前の電極下で、垂直CCDのチャネル幅が水平CCD方向に向かって広がる形状をなしている。さらに、垂直CCD最終電極下のバリア層を、垂直CCD最終電極の一つ手前の電極に対して自己整合法によって形成している。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に行列に配置され、光を電荷に変換する撮像素子群と、前記撮像素子群の行間に形成された一導電型の第1領域と、その上部に設けられた複数のゲート電極とからなり、生成した電荷群を列単位で垂直方向に転送する垂直電荷転送素子群と、前記垂直電荷転送素子群の転送方向終端に結合された一導電型の第2領域と、その上部に設けられた複数のゲート電極とからなり、前記垂直電荷転送素子群から転送されてきた前記電荷群を行単位で水平方向に転送する水平電荷転送素子群とを有する固体撮像装置において、前記第1領域と前記第2領域とが重なる領域において、前記第2領域が前記第1領域側へ延びるにつれ、ポテンシャルが次第に浅くなる構造にしたことを特徴とする固体撮像装置。
IPC (4件)：
H01L 27/148
, H01L 29/762
, H01L 21/339
, H04N 5/335
H01L 27/14 B
, H01L 29/76 301 A
