特許

J-GLOBAL ID：200903030710318176

窒化物系半導体素子の作製方法

発明者： 古沢 浩太郎 ,  竹内 邦生
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (2件)： 寺山 啓進 ,  三好 広之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-120133
公開番号（公開出願番号）：特開2006-303034
出願日： 2005年04月18日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：

【課題】素子分離の際の窒化物系半導体層への割れ、欠け及びダメージの低減と、支持基板のばりの発生防止とを実現する窒化物系半導体素子の作製方法を提供する。【解決手段】本発明に係る窒化物系半導体素子の作製方法は、主面から垂直方向に深さを有する基板溝20hを備える主基板を作製する工程と、前記主面側に窒化物系半導体層1を接合する工程と、前記基板溝20hが、前記主面と反対側の面に露出するまで、前記反対側の面の少なくとも一部を除去する工程とを含む。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

主面から垂直方向に深さを有する基板溝を備える主基板を作製する工程と、 前記主面側に窒化物系半導体層を接合する工程と、 前記基板溝が、前記主面と反対側の面に露出するまで、前記反対側の面の少なくとも一部を除去する工程とを含むことを特徴とする窒化物系半導体素子の作製方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 23/48

FI (2件)：

H01L33/00 C ,  H01L23/48 F

Fターム (7件)：

5F041AA31 ,  5F041AA41 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA76 ,  5F041CA99

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-388964   出願人：日亜化学工業株式会社